IBM相變存儲技術(shù)實(shí)現(xiàn)每單元存3比特?cái)?shù)據(jù)

　　科技日報(bào)北京5月18日電 （記者劉霞）據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，IBM蘇黎世研發(fā)中心的科學(xué)家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破——首次實(shí)現(xiàn)了單個(gè)相變存儲單元存儲3個(gè)比特的數(shù)據(jù)。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產(chǎn)業(yè)化步伐，最終為物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)提供一種簡單且快速的存儲方式。

　　目前的存儲器種類包括最常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）、硬盤以及閃存等。過去幾年，PCM作為一種潛在的通用存儲技術(shù)，因擁有良好的讀寫速度、耐用性以及非易失性等優(yōu)勢，成為存儲產(chǎn)業(yè)的“后起之秀”。PCM在斷電時(shí)不會像DRAM那樣丟失數(shù)據(jù)，能承受至少1000萬次寫循環(huán)，而閃存僅能耐受3000次寫循環(huán)。但由于現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)的經(jīng)濟(jì)效益遠(yuǎn)高于新的替代技術(shù)，相變存儲技術(shù)目前尚未在市場上蓬勃發(fā)展。

　　PCM材料擁有非結(jié)晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。為了在PCM的單元內(nèi)存儲“0”和“1”，先要向其施加一個(gè)高的或中等電流，“0”被編入非結(jié)晶態(tài)，“1”則被編入結(jié)晶態(tài)或者相反；再朝其施加低電壓，就能讀回寫入的數(shù)據(jù)。2011年，IBM曾實(shí)現(xiàn)在單個(gè)相變存儲單元中保存1個(gè)比特的數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在，IBM再下一城，首次成功地在單個(gè)單元內(nèi)存儲了3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)。

　　論文作者之一哈里斯·普茲迪斯說：“相變存儲是通用存儲器的首個(gè)實(shí)例，這種存儲器兼具DRAM和閃存的優(yōu)勢，可以解決我們目前面臨的挑戰(zhàn)。每個(gè)單元可存儲3個(gè)比特的數(shù)據(jù)是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)樵诖嗣芏认?，PCM的成本將比DRAM低很多，接近閃存。”

　　研究人員指出，未來PCM既可以獨(dú)當(dāng)一面，也可作為快速緩沖貯存區(qū)，與閃存等存儲方式強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手。例如，將手機(jī)的操作系統(tǒng)存儲在PCM內(nèi)，手機(jī)則能在數(shù)秒內(nèi)啟動(dòng)；或可將企業(yè)數(shù)據(jù)庫存儲在PCM內(nèi)，用于處理一些如金融交易等的緊急事務(wù)。

　　 總編輯圈點(diǎn)

　　這是存儲行業(yè)的大消息。相變存儲器是下一代存儲器的候選者之一，因成本和技術(shù)原因，各大廠商及研究機(jī)構(gòu)雖都在進(jìn)行技術(shù)儲備，但對大規(guī)模應(yīng)用保持謹(jǐn)慎。IBM的這次發(fā)布，吹響了進(jìn)軍PCM市場的號角，如同閃存取代光盤軟盤，必將掀起產(chǎn)業(yè)更新?lián)Q代，導(dǎo)致企業(yè)興衰沉浮。可預(yù)期的是，相變存儲器能讓PC和手機(jī)瞬間啟動(dòng)、讓應(yīng)用快速加載，避免了令人抓狂的等待，絕對會被市場追捧。當(dāng)然，IT圈除了比技術(shù)，還要比策略，就怕IBM這次只是虛晃一槍。